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西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
| 功率金属氧化物场效应管 | 1 | 漏源间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测： -3.5kV～3.5kV | |||
| 2 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测： 0～10kΩ,,0～1500A | |
| 3 | 阈值电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 | 只测： -10V～10V | |
| 4 | 漏极反向电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只测： -100mA～100mA | |
| 5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测： -100mA～101mA | |
| 6 | 体二极管压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测： 0A～1500A | |
| 7 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测： 1ms～1000s | |
| 8 | 开关时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | |
| 9 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 | 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | ||
| 10 | 体二极管反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 10ns～2µs | |
| 11 | 体二极管反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 1nC～100µC | |
| 12 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只测： Qg：0.5nC～500nC | |
| 13 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A | |
| 14 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测： 0.1Ω～50Ω | |
| 15 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只测： Ph：0.1W～250W | |
| 16 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 | 只测： Ph：0.1W～250W | ||
| 17 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 18 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 19 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 20 | 老炼试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃ | |
| 21 | 温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 | 只测： HTRB和HTGB试验 | ||
| 22 | 间歇功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测： 条件D（间歇功率） | |
| 23 | 稳态功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测： 条件C（稳态功率） |
新型功率半导体器件国家重点实验室-长禾半导体
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