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二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪

详细说明更新时间:2021-11-12 11:20 浏览次数:88
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品牌:西安易恩电气
电压频率:50Hz±1Hz
系统功耗:320W
尺 寸:800x800x1800mm
单价:188.00元/台
起订:1 台
供货总量:100 台
发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
所在地:陕西 西安市
有效期至:长期有效
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产品介绍
 规格环境

尺寸:250×570×280(mm)

质量:15kg

环境温度:15~40℃

工作电压;AC220V±10%(无严重谐波)

电网频率:50Hz

通信接口;USB RS232

功能单元

参数指标

基本参数

功率源:3000V/200A

栅极-发射极漏电流

IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA

IGES

集电极电压VCE: 0V

栅极电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V

 

 

集电极电压VCES: 200-3000V±2%±10V

集电极-发射极电压

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

 

栅极电压 Vge: 0V

集电极-发射极饱和

VCESat:0.1-5V±2%±0.01V

电压VCESat

栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V

集电极电流ICE: 10-100A±2%±1A

 

集电极-发射极截止

集电极电压VCE: 200-3000V±3%

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

电流ICES

栅极电压VGE: 0V

 

栅极-发射极阈值电

VGEth: 1-10V±2%±0.1V

Vce=15V

 

二极管压降测试

VF: 0.1-5V±2%±0.01V

IF:5-100A±2%±1A

 

 

Vge: 0V

反向击穿BVR

BVR:200-3000V±2%±10V

反向漏电流IR

IR:0.1-10mA±3%±0.01mA

 

导通电阻RDS(on)

1-10mΩ±2%±0.1 mΩ

10-50mΩ±2%±0.5 mΩ


二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪
网址:http://www.keqiw.cn/canshuceliangyi/68679.html
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