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西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
| 5 | 绝缘栅双极型晶体管 | 1 | 集射间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||||
| 2 | 通态电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1 | 只测： 0～1500A | ||
| 3 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测： 0～10kΩ | ||
| 4 | 集电极反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只测： 0～100mA | ||
| 5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测： 0～100mA | ||
| 6 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测： 1ms～1000s | ||
| 7 | 开关时间&损耗 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1 | 只测： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A | ||
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12 | 只测： 5V～3.3kV | ||||
| 8 | 短路耐受时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479 | 只测： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us | ||
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6 | 只测： 5V～3.3kV | ||||
| 9 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只测： Qg：0.5nC～100uC | ||
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9 | 只测： 5V～3.3kV | ||||
| 10 | 二极管反向恢复时间 | 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.6 | 只测： 5V～3.3kV | ||
| 11 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A | ||
| 12 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测： 0.1Ω～50Ω | ||
| 13 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103 | 只测： Ph：0.1W～250W | ||
| 16 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 17 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 18 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 19 | 最大反偏安全工作区 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5 | 只测： 5V～3.3kV |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR测试实验室
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