半导体异质结是由不同半导体材料接触形成的结构。由于构成异质结的两种半导体材料拥有不同的禁带宽度、电子亲和能、介电常数、吸收系数等物理参数,异质结将表现出许多不同于单一半导体材料的性质。在传统半导体领域,以半导体异质结为核心制作的电子器件,如光电探测器、发光二极管、太阳能电池、激光器等,往往拥有比单一半导体材料制作的同类器件更加优越的性能。近年来,以二维二硫化钼(MoS2)、二硒化钼(MoSe2)为代表的新型二维半导体材料迅速成为材料科学领域的研究前沿。这类半导体的厚度仅为数个原子,并且有望成为新一代电子器件的二维平台。将不同的二维半导体层堆积起来便形成了二维半导体异质结,而这类异质结中的新奇物理现象也成为了目前国际纳米科学研究的一个焦点。
二硒化钼(MoSe2)
1,纯度:4N(99.99%)
2,物理性质:
英文名称:Molybdenum Selenide,
CAS号为12058-18-3,
分子式为MoSe2,
分子量为253.86,
灰色粉末,具有层状结构,具有半导体性质.
3,技术对接:高温高压真空熔炼,处理后进行热扩散;
4,检验:ICP-MS(所有杂质元素总和低于100ppm),XRD(杂峰少),SEM(扫描电镜);
5,粒度:-100目;
7,应用:科研;
8,包装:瓶装:1公斤/瓶,瓶外加铝复合薄膜真空包装;
碲系化合物:
碲化镉(CdTe), 碲化铅(PbTe), 碲化铜(CuTe),碲化铟( InTe),
碲化锌(ZnTe),P/N三碲化二铋(Bi2Te3),二氧化碲(TeO2),碲镉锌 (CdZnTe).
硫系化合物:
硫化镉(CdS),硫化铅(PbS),三硫化二镓(Ga2S3),二硫化锗(GeS2),硫化锌(ZnS),硫化锡(SnS),三硫化二铟(In2S3)
无氧硒及硒系化合物:
无氧硒(Se)粒,硒化镉(CdSe),三硒化二镓(Ga2Se3),硒化亚铜(Cu2Se),三硒化二铟(In2Se3),硒化铅(PbSe),硒化锌(ZnSe),硒化铋(Bi2Se3).
氯系化合物:
无水三氯化铟(InCl3),无水三氯化镓(GaCl3),无水氯化亚铟(InCl)
氧系化合物:
4N-5N三氧化二镓(Ga2O3),4N-5N氧化锌(ZnO),5N-6N 三氧化二铟(In2O3)
5N 三氧化二铋(Bi2O3)
铜铟镓硒(CIGS)系列材料.
靶材:碲化镉靶,硫化镉靶,氧化锌靶,氧化锌铝靶,铜铟镓硒靶,三硒化二铟靶,硒化铜靶材
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